【導(dǎo)讀】如果以30TB的HDD來(lái)計(jì)算，2U 12盤(pán)位的存儲(chǔ)服務(wù)器提供容量大概為360TB左右，但如果用上基于第八代BiCS FLASH? QLC的鎧俠LC9系列，2U服務(wù)器上限可以做到接近10PB，這樣的差距非常明顯，那么問(wèn)題來(lái)了，2U服務(wù)器搭配SSD的存儲(chǔ)上限是如何被突破的？
先從閃存入手
容量突破自然先從閃存芯片入手，鎧俠第八代BiCS FLASH? QLC是鎧俠在3D NAND閃存技術(shù)路線上的重要里程碑，也是為2U服務(wù)器構(gòu)建出超高規(guī)模存儲(chǔ)容量的核心基礎(chǔ)。
第八代BiCS FLASH?特征可圍繞架構(gòu)創(chuàng)新、容量密度、性能能效與封裝形態(tài)展開(kāi)。其采用218層垂直堆疊架構(gòu)，并首次大規(guī)模引入CBA技術(shù)（CMOS直接鍵合陣列），將CMOS外圍電路晶圓與存儲(chǔ)單元陣列晶圓分別在各自最優(yōu)的工藝溫度條件下獨(dú)立制造，再通過(guò)晶圓鍵合完成集成。
這樣的設(shè)計(jì)避免了傳統(tǒng)CAN和CUA架構(gòu)中連接CMOS與存儲(chǔ)陣列的布線開(kāi)銷(xiāo)，同時(shí)讓外圍電路與存儲(chǔ)單元都能在最佳熱預(yù)算下工作，也讓CMOS與存儲(chǔ)陣列有了更多發(fā)揮的空間。
以存儲(chǔ)陣列為例，第八代BiCS FLASH? QLC提供兩種單Die容量，2Tb QLC是目前為止業(yè)界最大的QLC閃存顆粒之一，其位密度達(dá)到18.3 Gb/mm2，相比第五代BiCS FLASH? QLC提升約2.3倍。另外1Tb QLC版本讀取延遲還能再改善約15%，主要用于客戶端SSD及移動(dòng)設(shè)備。
接口方面，第八代BiCS FLASH?實(shí)現(xiàn)了3.6 Gbps的接口傳輸速率，為后續(xù)PCIe Gen5/Gen6 SSD及高性能移動(dòng)存儲(chǔ)提供了物理層基礎(chǔ)。這也是第八代BiCS FLASH重要原因之一。
CMOS與存儲(chǔ)陣列鍵合之后，單封裝內(nèi)堆疊技術(shù)也非常重要。第八代BiCS FLASH? QLC支持業(yè)界領(lǐng)先的32-die堆疊封裝技術(shù)，單封裝容量可達(dá)8TB，這種高集成度為數(shù)據(jù)中心E3.S/E3.L形態(tài)的高密度SSD及緊湊型移動(dòng)設(shè)備提供了物理空間優(yōu)勢(shì)。
將245.76TB裝入LC9 E3.L
擁有了第八代BiCS FLASH? QLC，接下來(lái)就是變成SSD量產(chǎn)品的問(wèn)題。2U服務(wù)器實(shí)現(xiàn)超大容量也要從SSD的存儲(chǔ)形態(tài)上入手，EDSFF成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的新標(biāo)準(zhǔn)。EDSFF（Enterprise and Datacenter Standard Form Factor）是面向企業(yè)與數(shù)據(jù)中心的標(biāo)準(zhǔn)化SSD形態(tài)家族，包含E1.S/L與E3.S/L等規(guī)格，旨在取代傳統(tǒng)2.5英寸盤(pán)，以更高存儲(chǔ)密度、更優(yōu)散熱與PCIe信號(hào)完整性滿足現(xiàn)代服務(wù)器存儲(chǔ)需求。
其中，E3.L是EDSFF標(biāo)準(zhǔn)家族中的長(zhǎng)尺寸規(guī)格，與E3.S相比，E3.L在保持相同寬度與接口兼容性的前提下，擁有更長(zhǎng)的板身空間，從而能夠容納更多NAND閃存封裝顆粒。鎧俠LC9 E3.L版本是最具標(biāo)志性的規(guī)格之一，也是實(shí)現(xiàn)245.76TB業(yè)界最大單盤(pán)容量的關(guān)鍵載體。
LC9 E3.L形態(tài)之所以能支撐245.76TB，核心在于鎧俠在有限物理空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了閃存封裝密度的極致壓縮。在采用第八代BiCS FLASH 2Tb QLC NAND前提下，每個(gè)BGA封裝內(nèi)完成32顆Die堆疊，單顆封裝容量達(dá)到8TB，同時(shí)E3.L更長(zhǎng)的板身允許搭載更多顆8TB封裝，最終疊加出245.76TB總?cè)萘俊?/p>
不僅如此，鎧俠LC9還做到對(duì)PCIe 5.0，NVMe 2.0、NVMe-MI 1.2c規(guī)范支持，并具備雙端口支持服務(wù)器及高可用存儲(chǔ)系統(tǒng)架構(gòu)。除了E3.L版本，鎧俠LC9還具備E3.S、2.5英寸規(guī)格版本。
鎧俠LC9 E3.L版本做到了在標(biāo)準(zhǔn)32盤(pán)位E3.L背板配置下，單臺(tái)2U服務(wù)器可實(shí)現(xiàn)8PB以上閃存容量；若采用40盤(pán)位背板，更可逼近10PB。若以傳統(tǒng)30.72TB SSD構(gòu)建同等容量，需要額外7臺(tái)服務(wù)器、280塊硬盤(pán)，功耗增加約8倍，機(jī)架空間占用也大幅上升。
除此之外，鎧俠LC9系列還具備多種關(guān)鍵企業(yè)級(jí)SSD特性，包括FDP（Flexible Data Placement），靈活數(shù)據(jù)放置，降低寫(xiě)入放大，延長(zhǎng)QLC壽命。0.3 DWPD針對(duì)讀取密集型AI推理優(yōu)化，支持多種安全算法，并面向后量子密碼學(xué)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，采用芯片級(jí)恢復(fù)、基于奇偶校驗(yàn)的錯(cuò)誤管理、掉電保護(hù)。
因此，鎧俠LC9 E3.L并非簡(jiǎn)單的加長(zhǎng)SSD，而是鎧俠通過(guò)32-die堆疊8TB封裝與E3.L物理空間的精準(zhǔn)匹配，在標(biāo)準(zhǔn)EDSFF框架內(nèi)實(shí)現(xiàn)了單盤(pán)245.76TB的容量突破，成為當(dāng)前AI基礎(chǔ)設(shè)施中以盤(pán)代柜的高密度存儲(chǔ)標(biāo)桿。為生成式AI數(shù)據(jù)湖、LLM訓(xùn)練數(shù)據(jù)集存儲(chǔ)、RAG（檢索增強(qiáng)生成）推理流水線、大規(guī)模冷、溫?cái)?shù)據(jù)歸檔提供穩(wěn)定的存儲(chǔ)保障。
